王守武，江苏苏州人，半导体器件物理学家、微电子学家，中国半导体科学技术的开拓者与奠基人之一。1941年王守武毕业于上海同济大学，1945年赴美留学，1949年获美国普渡大学博士研究生学位，1979年获全国劳动模范称号；1980年当选为中国科学院院士。主持研制成功中国第一只砷化镓半导体激光器；主持研制成功4千位、16千位的DRAM大规模集成电路，在研究与开发中国半导体材料、半导体器件及大规模集成电路方面做出了重要贡献。

恰逢祖国七十华诞，神州大地昌盛复兴如同黄浦江黎明时的曙光，为近代百年中华民族的前行指引希望的方向。一代代中国人风雨兼程，为祖国的工业命脉从无到有再到兴盛挥洒心血；一代代中国人筚路蓝缕，打破陈旧迷信的同时在科学的荒野上开拓属于中华的里程碑。而材料作为国家超级工程的奠基之石，更是有无数昔日青年为之发奋拼搏，将自己的青春、热血、以至于生命，化作汩汩源泉，浇注材料的希望之芽。七十年后的今天，翻开历史的记事录，你便会发现一位位材料人披星戴月、皓首穷经的身影，用一生书写着中国材料的辉煌凯歌。

近年华为公司又在5G道路上大步流星更进一步，借助半导体的升级将芯片再度研发，将网络创新的主动权牢牢掌握在手。谈及半导体，我们心中总会不由浮现出一位和蔼可亲的老先生的身影。那并不伟岸的身躯中，蕴蓄着矢志报国，求实创新的灿烂光芒。

王守武这个名字，注定铭刻在一代又一代材料人的心中，氤氲着朴实而又耀眼的光辉。王老先生身为中国半导体科学的奠基人，在研究与开发中国半导体材料、半导体微电子器件和光电子器件及大规模集成电路的历程中做出一系列开创性的贡献，并为国家培育了一代砥砺创新，求是爱国的青年栋梁。

王老先生少年时沉默寡言，在一众兄弟姐妹中身缠疟疾，略显愚笨。正是少年时的内向与沉默，使得王老先生自幼便学会如何思考与独立解决问题，为日后艰辛的研究生涯打下创新的基础。1945年8月,抗日战争胜利，先生出于爱国热忱,憧憬“科学救国”的道路,便于当年10月,负复远行,横渡大洋,入美国印第安那州普渡大学研究生院攻读工程力学，并取得优异成绩。此阶段的知识存储与眼界开拓亦为日后先生的科研打下牢固的根基。

1954年,王老先生了解到新一代电子器件-半导体晶体管已在国外广泛应用,并预见到这一划时代的变革将会引起电子技术的一次新的革命。他以电学研究组成员为主要对象,举办半导体专业培训班,他亲手组建了我国第一个半导体研究室,他组织领导了锗单晶材料制备的研究工作,一面抓锗材料的提纯,一面亲自设计制造了我国第一台制备半导体锗材料的单晶炉,并于1957年底拉制成功了我国第一根锗单晶。接着,他与联合攻关的所内外同事们合作,研制成功了锗晶体二极管和锗合金结晶体管,填补了国家空白,实现了我国半导体科学研究工作“零”的突破,为新中国的半导体微电子技术的发展奠定了基础。

人们通常习惯地把科学家比做勇敢的登“山”家,客观地讲,登山有尽头,而科学无止境随着科学技术的发展,半导体新器件不断出现,。1962年,用砷化镍材料制成的半导体激光器在美国诞生,其重大的应用前景在全世界半导体科技界产生了广泛和深远的影响。远见卓识、机敏执著的王老先生以攀登不止的勇气,认定中国人有能力在世界科技前沿占有一席之地,于1963年组建了半导体激光器研究组,亲自指导。在激光器研制过程中,为了解决一系列工艺技术难题,提高工艺成功率,先生不知度过了多少不眠之夜,形成了思考问题时用掌击嘴的习惯,无论在实验室、在家里,“吧吧"声经常不绝于耳。在切割砷化镍薄片之前必须先把砷化嫁单晶进行晶格定向,在当时实验室的条件下,用X射线来对单晶体进行定向比较困难,王守武创造性地发展了一种光学定向的新方法,大大地加快了研制工作的进程,提高了各项工艺的成品率。经过近一年的努力,于1964年元旦前夕,终于研制成功了我国第一只半导体激光器。这是当时我国可与世界科技并驾齐驱的项目之一。为我国半导体光电子技术的发展奠定了基础。

王老先生一生忠厚为人，治学严谨。正因为中国材料事业有着老先生一类为了某个细节秉烛夜战，在无数次双眼开阖见见证黎明的到来，才有如今如雄狮般傲立一方的超级大国。王老先生一生矢志创新，亲自从有到无开拓祖国伟业的精神如同星河一般，照耀着一代又一代材料新人，激励着年轻人实事求是，以创新书写材料下一个七十年的华丽篇章。

再次着眼当下，七十年来的时代责任与强国大业，无不要求时代新人、材料新人们谨记先辈们的伟大精神，报国唯真，求实创新，以青春与热血为祖国的繁荣昌盛努力拼搏！